Транзистор FDFM2N111
FDFM2N111 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MLP3X3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 63 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDFM2N111 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON1634 |
SMD |
N |
1.8 |
30 |
12 |
1.5 |
4 |
0.054 |
- |
3.5 |
35 |
150 |
DFN1.6X1.6A |