Транзистор FDFMA2P857
FDFMA2P857 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFET2X2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.12 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDFMA2P857 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO3401A |
SMD |
P |
1.4 |
30 |
12 |
1.3 |
4 |
0.05 |
- |
3.5 |
80 |
150 |
SOT-23 |
| AO4403 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
12 |
1.3 |
6 |
0.048 |
- |
3.5 |
80 |
150 |
SO-8 |
| AO6401 |
SMD |
P |
2 |
30 |
12 |
1.3 |
5 |
0.047 |
- |
3.5 |
80 |
150 |
TSOP-6 |
| AO6401A |
SMD |
P |
2 |
30 |
12 |
1.3 |
5 |
0.047 |
- |
3.5 |
80 |
150 |
TSOP-6 |
| FDFMA2P853 |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
8 |
1.3 |
3 |
0.12 |
- |
11 |
80 |
150 |
MicroFET2X2 |
| FDFMA2P853T |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
8 |
1.3 |
3 |
0.12 |
- |
11 |
80 |
150 |
MicroFET2X2Thin |
| FDFMA2P859T |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
8 |
1.3 |
3 |
0.12 |
- |
11 |
80 |
150 |
MicroFET2X2Thin |
| MMP3401 |
SMD |
P |
1.4 |
30 |
12 |
1.3 |
4.2 |
0.075 |
7.278 |
10.985 |
55.217 |
150 |
SOT-23 |