Транзистор FDFME2P823ZT
FDFME2P823ZT - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFET1.6X1.6Thin
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.142 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDFME2P823ZT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDFMJ2P023Z |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
8 |
1 |
2.9 |
0.112 |
- |
4 |
55 |
150 |
SC-75 |