Транзистор FDFS2P103
FDFS2P103 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.059 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 132 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDFS2P103 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMP9567 |
SMD |
P |
2.5 |
40 |
25 |
3 |
6 |
0.05 |
7.49 |
3.56 |
104.6 |
150 |
SO-8 |