Транзистор FDG316P
FDG316P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-70-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.48 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.19 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 3.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDG316P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMP4357 |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
5.3 |
0.075 |
2.457 |
11.3 |
52.525 |
150 |
SOP-8 |
| MMP4399 |
SMD |
P |
1.2 |
30 |
20 |
3 |
3.9 |
0.15 |
3.26 |
2.53 |
26.45 |
150 |
SOP-8 |