Справочник электронных компонентов

Транзистор FDI047AN08A0

FDI047AN08A0 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-262AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 310 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0047 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 138 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 88 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1000 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FDI047AN08A0 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB480L	SMD	N	333	80	25	4	180	0.0042	116	33	810	175	TO-263
AOT480L	PTH	N	333	80	25	4	180	0.0045	116	33	810	175	TO-220
AOW480	PTH	N	333	80	25	4	180	0.0045	116	33	810	175	TO-262
BUK764R2-80E	SMD	N	324	80	20	4	120	0.0042	136	45.5	753	175	D2PAK
PSMN3R3-80ES	PTH	N	338	80	20	4	120	0.0033	135	43	847	175	I2PAK
PSMN3R3-80PS	PTH	N	338	80	20	4	120	0.0033	135	43	847	175	TO-220AB