Транзистор FDI33N25
FDI33N25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 235 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 33 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.094 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 230 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 330 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDI33N25 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FCH47N60_F133 |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
5 |
47 |
0.07 |
270 |
210 |
160 |
150 |
TO-247 |