Транзистор FDMB506P

FDMB506P - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: MicroFET3X1.9

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.9 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 351 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FDMB506P можно заменить на:

Нет элементов для замены