Транзистор FDME510PZT
FDME510PZT - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFET1.6X1.6Thin
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.037 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDME510PZT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM6441P |
SMD |
P |
1.8 |
40 |
20 |
1 |
6.6 |
0.028 |
16 |
10 |
- |
150 |
TSSOP-8 |
| AM7341P |
SMD |
P |
3.5 |
40 |
20 |
1 |
12 |
0.019 |
10 |
10 |
- |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7441P |
SMD |
P |
5 |
40 |
20 |
1 |
12 |
0.026 |
15.3 |
12 |
- |
150 |
SOIC-8PP |
| STS6P3LLH6 |
SMD |
P |
2.7 |
30 |
20 |
1 |
6 |
0.03 |
12 |
15 |
178 |
150 |
SO-8 |