Транзистор FDMS8570S
FDMS8570S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: Power56
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 48 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDMS8570S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMS8570SDC |
SMD |
N |
59 |
25 |
12 |
2.2 |
60 |
0.0028 |
42 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| PSMN2R4-30MLD |
SMD |
N |
91 |
30 |
20 |
2.2 |
70 |
0.0024 |
34 |
23 |
1150 |
175 |
LFPAK33 |
| PSMN2R4-30YLD |
SMD |
N |
106 |
30 |
20 |
2.2 |
100 |
0.0024 |
31.3 |
27.5 |
1175 |
175 |
LFPAK56 |