Транзистор FDN339AN
FDN339AN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDN339AN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3434N |
SMD |
N |
2 |
30 |
12 |
1.5 |
6 |
0.032 |
6 |
24 |
- |
150 |
TSOP-6 |
| AM4302N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
12 |
1.5 |
9 |
0.026 |
5.5 |
9 |
- |
150 |
SO-8 |
| AM4438N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
8 |
1.5 |
8.1 |
0.032 |
7 |
12 |
- |
150 |
SOIC-8 |
| KI5404BDC |
SMD |
N |
1.3 |
20 |
12 |
1.5 |
5.4 |
0.028 |
7 |
12 |
- |
150 |
ChipFET |
| PMN22XN |
SMD |
N |
0.545 |
30 |
12 |
1.5 |
5.7 |
0.027 |
6.4 |
27 |
1.8 |
150 |
TSOP-6 |
| RQ5E040AJ |
SMD |
N |
1 |
30 |
12 |
1.5 |
4 |
0.037 |
4.3 |
5.9 |
55 |
150 |
TSMT3 |