Справочник электронных компонентов

Транзистор FDN359AN

FDN359AN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.046 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 5 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FDN359AN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM2330N	SMD	N	1.3	30	20	3	5.2	0.032	4	5	-	150	SOT-23
AM3406N	SMD	N	2	30	20	3	6.3	0.044	4.7	5	-	150	TSOP-6
AM5430N	SMD	N	3.5	30	20	3	10	0.022	3.06	3.7	-	150	DFN3X2
FDS6630A	SMD	N	2.5	30	20	3	6.5	0.038	5	-	-	150	SO-8
MMN4338	SMD	N	1.13	30	20	3	4.9	0.042	4.02	2.83	33.7	150	SOP-8
SSM2316GN	SMD	N	1.38	30	20	3	4.7	0.042	5	8	70	150	SOT-23
TSM3404CX	SMD	N	0.75	30	20	3	5.8	0.03	4.52	3.41	100.47	150	SOT-23
TSM3424CX6	SMD	N	2	30	20	3	6.7	0.03	4.52	3.41	100.47	150	SOT-26