Справочник электронных компонентов

Транзистор FDP10AN06A0

FDP10AN06A0 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FDP10AN06A0 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BUK768R3-60E SMD N 137 60 20 4 75 0.0083 43.1 27 319 175 D2PAK
BUK7Y8R7-60E SMD N 147 60 20 4 87 0.0087 46 16 310 175 LFPAK56
IRF100B202 PTH N 221 100 20 4 97 0.0086 77 56 319 175 TO-220AB
IRFB3507PBF PTH N 190 75 20 4 97 0.0088 88 81 340 175 TO-220AB
IRFB3607GPBF PTH N 140 75 20 4 80 0.009 56 110 280 175 TO-220AB
IRFB3607PBF PTH N 140 75 20 4 80 0.009 56 110 280 175 TO-220AB
IRFB4410ZGPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-220AB
IRFB4410ZPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-220AB
IRFP4410ZPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 120 52 340 175 TO-247AC
IRFS3507PBF SMD N 190 75 20 4 97 0.0088 88 81 340 175 TO-263
IRFS3607PBF SMD N 140 75 20 4 80 0.009 56 110 280 175 TO-263
IRFS4410ZPBF SMD N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-263
IRFSL3607PBF PTH N 140 75 20 4 80 0.009 56 110 280 175 TO-262
IRFSL4410ZPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-262
PSMN7R6-60BS SMD N 149 60 20 4 92 0.0078 38.7 21 342 175 D2PAK
PSMN8R7-80BS SMD N 170 80 20 4 90 0.0087 44 26 296 175 D2PAK
PSMN9R5-100BS SMD N 211 100 20 4 89 0.0096 67 25.2 302 175 D2PAK
RU60101R PTH N 150 60 25 4 100 0.008 - 26 285 175 TO-220
STP100N8F6 PTH N 176 80 20 4 100 0.009 100 46 244 175 TO-220
STP90N6F6 PTH N 136 60 20 4 90 0.0063 74.9 42 292 175 TO-220