Транзистор FDP15N50
FDP15N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDP15N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDH15N50 |
PTH |
N |
300 |
500 |
30 |
4 |
15 |
0.38 |
- |
5.4 |
230 |
175 |
TO-247 |
| KDB15N50 |
SMD |
N |
300 |
500 |
30 |
4 |
15 |
0.38 |
33 |
5.4 |
230 |
175 |
TO-263 |