Транзистор FDP16N50
FDP16N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 235 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDP16N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB20C60 |
SMD |
N |
463 |
600 |
30 |
5 |
20 |
0.25 |
- |
76 |
145 |
150 |
TO-263 |
| AOT20C60 |
PTH |
N |
463 |
600 |
30 |
5 |
20 |
0.25 |
- |
76 |
145 |
150 |
TO-220 |
| AOW20C60 |
PTH |
N |
463 |
600 |
30 |
5 |
20 |
0.25 |
- |
76 |
145 |
150 |
TO-262 |
| FDA16N50 |
PTH |
N |
205 |
500 |
30 |
5 |
16.5 |
0.38 |
- |
150 |
235 |
150 |
TO-3PN |
| MDP16N50GTH |
PTH |
N |
204.9 |
500 |
30 |
5 |
16 |
0.35 |
- |
88.5 |
226 |
150 |
TO-220 |
| MDQ16N50GTH |
PTH |
N |
215 |
500 |
30 |
5 |
16.5 |
0.35 |
- |
88.5 |
226 |
150 |
TO-247 |
| MDQ16N50GTP |
PTH |
N |
215 |
500 |
30 |
5 |
16.5 |
0.35 |
- |
88.5 |
226 |
150 |
TO-247 |
| SIHG17N60D |
PTH |
N |
277.8 |
600 |
30 |
5 |
17 |
0.34 |
45 |
56 |
140 |
150 |
TO-247AC |
| SIHG22N50D |
PTH |
N |
312 |
500 |
30 |
5 |
22 |
0.23 |
49 |
42 |
169 |
150 |
TO-247AC |
| SIHG32N50D |
PTH |
N |
390 |
500 |
30 |
5 |
30 |
0.15 |
64 |
75 |
225 |
150 |
TO-247AC |
| SIHP17N60D |
PTH |
N |
277.8 |
600 |
30 |
5 |
17 |
0.34 |
45 |
56 |
140 |
150 |
TO-220AB |
| STB21N90K5 |
SMD |
N |
250 |
900 |
30 |
5 |
18.5 |
0.299 |
43 |
27 |
112 |
150 |
D2PAK |