Справочник электронных компонентов

Транзистор FDP8880

FDP8880 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FDP8880 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FDB8880 SMD N 55 30 20 2.5 54 0.0116 22 - - 175 TO-263
FDD8882 SMD N 55 30 20 2.5 55 0.0115 22 - - 175 TO-252
NVD4805N SMD N 79 30 20 2.5 95 0.005 20.5 20.3 610 175 DPAK
NVD4806N SMD N 68 30 20 2.5 79 0.006 15 29.7 480 175 DPAK
NVD4808N SMD N 54.6 30 20 2.5 63 0.008 11.3 21.3 334 175 DPAK
STD100N3LF3 SMD N 110 30 20 2.5 80 0.0055 20 - - 175 DPAK
STD65N55LF3 SMD N 110 55 20 2.5 80 0.0085 20 - - 175 DPAK
STD75N3LLH6 SMD N 60 30 20 2.5 75 0.008 17 - - 175 DPAK
STD96N3LLH6 SMD N 70 30 20 2.5 80 0.0042 20 91 400 175 DPAK
STP75N3LLH6 PTH N 60 30 20 2.5 75 0.0059 17 - - 175 TO-220
STP95N3LLH6 PTH N 70 30 20 2.5 80 0.0047 20 - - 175 TO-220
STU75N3LLH6 PTH N 60 30 20 2.5 75 0.0059 17 - - 175 IPAK
STU75N3LLH6-S PTH N 60 30 20 2.5 75 0.0059 17 - - 175 ShortIPAK
STU95N3LLH6 PTH N 70 30 25 2.5 80 0.0047 20 - - 175 IPAK