Транзистор FDR840P
FDR840P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1532 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDR840P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SI4477DY |
SMD |
P |
3 |
20 |
12 |
1.5 |
18 |
0.0062 |
125 |
10 |
980 |
150 |
SO-8 |
| SIR401DP |
SMD |
P |
5 |
20 |
12 |
1.5 |
29 |
0.0032 |
205 |
13 |
1120 |
150 |
SO-8 |