Транзистор FDR858P
FDR858P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDR858P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4835EP |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
9.5 |
0.019 |
12.8 |
12 |
- |
150 |
SOIC-8 |
| CHM4311JGP |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
9.3 |
0.018 |
16.4 |
7 |
- |
150 |
SO-8 |
| CHM4435AZGP |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8 |
0.017 |
22 |
6 |
- |
150 |
SOT-223 |
| SSM4407GM |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
10.7 |
0.014 |
28 |
11 |
590 |
150 |
SO-8 |
| SSM4423GM |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
11 |
0.015 |
27 |
12 |
530 |
150 |
SO-8 |
| STP4407 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
23 |
3 |
12 |
0.009 |
30 |
24 |
400 |
150 |
SOP-8 |
| TSM4835CS |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
9.6 |
0.018 |
25 |
13 |
597 |
150 |
SOP-8 |