Транзистор FDS3570
FDS3570 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 76 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS3570 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMS86255 |
SMD |
N |
2.7 |
150 |
20 |
4 |
10 |
0.0124 |
45 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| FDS86140 |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
4 |
11.2 |
0.0098 |
29 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| IRF7493PBF |
SMD |
N |
2.5 |
80 |
20 |
4 |
9.3 |
0.015 |
35 |
7.5 |
320 |
150 |
SO-8 |
| IRF7493PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
80 |
20 |
4 |
9.3 |
0.015 |
35 |
7.5 |
320 |
150 |
SO-8 |
| IRFH5010PBF |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
4 |
13 |
0.009 |
65 |
12 |
425 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH5210PBF |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
4 |
10 |
0.0149 |
40 |
9.7 |
260 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH7110 |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
4 |
11 |
0.0135 |
58 |
23 |
300 |
150 |
PQFN5X6 |
| STL100N10F7 |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
4 |
19 |
0.0073 |
61 |
40 |
823 |
175 |
PowerFLAT5X6 |
| STL70N10F3 |
SMD |
N |
4 |
100 |
20 |
4 |
16 |
0.0084 |
56 |
11 |
450 |
175 |
PowerFLAT5X6 |