Транзистор FDS3670
FDS3670 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 265 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS3670 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4452 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
25 |
4 |
8 |
0.025 |
- |
4 |
165 |
150 |
SO-8 |
| FDS3170N7 |
SMD |
N |
3 |
100 |
20 |
4 |
6.7 |
0.026 |
- |
10 |
171 |
150 |
SO-8 |
| IRFH5210PBF |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
4 |
10 |
0.0149 |
40 |
9.7 |
260 |
150 |
PQFN5X6 |