Транзистор FDS5670
FDS5670 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 49 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS5670 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN4874WS |
SMD |
N |
2.8 |
60 |
20 |
4 |
12 |
0.011 |
35 |
10 |
320 |
150 |
SOP-8P |
| FDMS86255 |
SMD |
N |
2.7 |
150 |
20 |
4 |
10 |
0.0124 |
45 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| FDS5672 |
SMD |
N |
2.5 |
60 |
20 |
4 |
12 |
0.01 |
34 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| FDS86140 |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
4 |
11.2 |
0.0098 |
29 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| IRFH5206PBF |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
4 |
16 |
0.0067 |
40 |
11 |
360 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH5207PBF |
SMD |
N |
3.6 |
75 |
20 |
4 |
13 |
0.0096 |
39 |
12 |
313 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH7107 |
SMD |
N |
3.6 |
75 |
20 |
4 |
14 |
0.0085 |
48 |
12 |
365 |
150 |
PQFN5X6 |
| KDS5670 |
SMD |
N |
2.5 |
60 |
20 |
4 |
10 |
0.014 |
49 |
10 |
685 |
175 |
SOP-8 |
| STK20N75F3 |
SMD |
N |
5.2 |
75 |
20 |
4 |
20 |
0.0079 |
40.4 |
16.2 |
446 |
150 |
PolarPAK |
| STK22N6F3 |
SMD |
N |
5.2 |
60 |
20 |
4 |
22 |
0.006 |
41 |
14 |
536 |
150 |
PolarPAK |