Транзистор FDS5690
FDS5690 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 23 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS5690 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDS86141 |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
4 |
7 |
0.023 |
11.8 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| IRFH5406PBF |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
4 |
11 |
0.0144 |
23 |
8.7 |
206 |
150 |
PQFN5X6 |
| STL35N6F3 |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
4 |
10 |
0.022 |
13.6 |
2.9 |
173 |
175 |
PowerFLAT5X6 |