Транзистор FDS6570A
FDS6570A - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 47 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS6570A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17312Q5 |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
10 |
1.5 |
38 |
0.0015 |
28 |
27 |
2220 |
150 |
SON5X6 |
| SIR404DP |
SMD |
N |
6.25 |
20 |
12 |
1.5 |
45.6 |
0.0016 |
36.5 |
9 |
1570 |
150 |
SO-8 |
| SIR802DP |
SMD |
N |
4.6 |
20 |
12 |
1.5 |
22.6 |
0.005 |
32 |
11 |
460 |
150 |
SO-8 |