Транзистор FDS6673BZ-F085
FDS6673BZ-F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0078 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 88 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS6673BZ-F085 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4423 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.6 |
17 |
0.0072 |
47 |
8 |
583 |
150 |
SO-8 |
| FDS6673BZ |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
14.5 |
0.0078 |
88 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| MTP4409Q8 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
- |
15 |
0.0077 |
56 |
19 |
498 |
150 |
SOP-8 |
| SM4301PSK |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
- |
17.5 |
0.0068 |
70 |
19 |
640 |
150 |
SOP-8 |