Транзистор FDS6675
FDS6675 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS6675 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4427 |
SMD |
P |
3 |
30 |
25 |
3 |
12.5 |
0.014 |
41 |
10.3 |
480 |
150 |
SO-8 |
| CHM3083JGP |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
13 |
0.01 |
37.9 |
11.2 |
- |
150 |
SO-8 |
| SSM6679GM |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
14 |
0.009 |
37 |
11 |
950 |
150 |
SO-8 |
| STP4407 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
23 |
3 |
12 |
0.009 |
30 |
24 |
400 |
150 |
SOP-8 |