Транзистор FDS6682
FDS6682 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 22 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS6682 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SK840317L |
SMD |
N |
24.6 |
30 |
20 |
3 |
16 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSSO8-F1-B |
| SK860316L |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
3 |
22 |
0.0033 |
22 |
12 |
330 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SK860317L |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
3 |
20 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSO8-F4-B |
| STL66N3LLH5 |
SMD |
N |
4.8 |
30 |
22 |
3 |
21 |
0.0058 |
12 |
14.5 |
295 |
175 |
PowerFLAT5X6 |