Транзистор FDS6699S
FDS6699S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0036 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 65 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS6699S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMS0306AS |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
26 |
0.0024 |
41 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| PNM8P30V20 |
SMD |
N |
2.72 |
30 |
20 |
3 |
23 |
0.0032 |
43 |
20 |
690 |
150 |
SOP-8 |
| SK860314L |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
25 |
0.0022 |
37 |
14 |
570 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SK860315L |
SMD |
N |
2.9 |
30 |
20 |
3 |
26 |
0.0025 |
28 |
14 |
430 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SK860316L |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
3 |
22 |
0.0033 |
22 |
12 |
330 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SK860330L |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
27 |
0.0019 |
38 |
22 |
600 |
150 |
HSO8-F4-B |