Транзистор FDS7064N
FDS7064N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 522 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS7064N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN7424S |
SMD |
N |
3.8 |
30 |
20 |
2 |
20 |
0.005 |
15 |
10 |
350 |
150 |
DFN3.3X3.3-8L |
| BSC0906NS |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
2 |
63 |
0.0045 |
13 |
3.8 |
330 |
150 |
SuperSOT-8 |
| FDS7064N7 |
SMD |
N |
3 |
30 |
12 |
2 |
16.5 |
0.007 |
- |
13 |
522 |
150 |
SO-8 |
| SI4362BDY |
SMD |
N |
3 |
30 |
12 |
2 |
19.8 |
0.0046 |
- |
11 |
500 |
150 |
SO-8 |