Транзистор FDS8880
FDS8880 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 23 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDS8880 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4420 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.01 |
16 |
6 |
285 |
150 |
SOP-8 |
| RS1E150GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E170GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
17 |
0.0067 |
12 |
4.8 |
240 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E200GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
20 |
0.0046 |
16.8 |
7.2 |
275 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E240GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
24 |
0.0033 |
23 |
7.8 |
375 |
150 |
HSOP8 |
| RS1G180MN |
SMD |
N |
3 |
40 |
20 |
2.5 |
18 |
0.007 |
19.5 |
8.9 |
307 |
150 |
HSOP8 |
| SIR172DP |
SMD |
N |
3.9 |
30 |
20 |
2.5 |
16.1 |
0.0089 |
19.5 |
19 |
195 |
150 |
SO-8 |
| SIR330DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
22.2 |
0.0056 |
23 |
12 |
350 |
150 |
SO-8 |
| SIR428DP |
SMD |
N |
4.1 |
30 |
20 |
2.5 |
17.4 |
0.0075 |
21 |
10 |
274 |
150 |
SO-8 |
| STK28N3LLH5 |
SMD |
N |
5.2 |
30 |
22 |
2.5 |
28 |
0.0045 |
19 |
- |
450 |
150 |
PolarPAK |
| STL58N3LLH5 |
SMD |
N |
4.8 |
30 |
20 |
2.5 |
16 |
0.009 |
6.5 |
15.6 |
193 |
175 |
PowerFLAT5X6 |
| STL86N3LLH6AG |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
2.5 |
21 |
0.0052 |
17 |
30 |
290 |
150 |
PowerFLAT5X6 |
| TSM35N03PQ56 |
SMD |
N |
4.2 |
30 |
25 |
2.5 |
22 |
0.007 |
8.2 |
9 |
210 |
150 |
PDFN5X6 |