Транзистор FDT55AN06LA0
FDT55AN06LA0 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 8.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.046 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 88 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDT55AN06LA0 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MDD1951RH |
SMD |
N |
32.8 |
60 |
20 |
3 |
17.9 |
0.042 |
- |
15.2 |
70 |
150 |
TO-252 |