Транзистор FDT86113LZ
FDT86113LZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDT86113LZ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7492PBF |
SMD |
N |
2.5 |
200 |
20 |
2.5 |
3.7 |
0.079 |
39 |
13 |
190 |
150 |
SO-8 |
| RSD200N10TL |
SMD |
N |
20 |
100 |
20 |
2.5 |
20 |
0.052 |
48.5 |
61 |
180 |
150 |
CPT3 |
| RSD201N10 |
SMD |
N |
20 |
100 |
20 |
2.5 |
20 |
0.046 |
55 |
35 |
180 |
150 |
SC-63 |
| RSD201N10FRA |
SMD |
N |
20 |
100 |
20 |
2.5 |
20 |
0.046 |
55 |
35 |
180 |
150 |
SC-63 |
| SM1A13NSK |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
2.5 |
7 |
0.051 |
40 |
9 |
120 |
150 |
SOP-8 |