Транзистор FDU8770_F071
FDU8770_F071 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 115 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 685 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDU8770_F071 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDU8770 |
PTH |
N |
115 |
25 |
20 |
2.5 |
35 |
0.004 |
- |
12 |
685 |
175 |
TO-251AA |
| SQD100N04-3M6L |
SMD |
N |
136 |
40 |
20 |
2.5 |
100 |
0.0036 |
85 |
11 |
560 |
175 |
TO-252 |
| SQD50N04-3M5L |
SMD |
N |
136 |
40 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0035 |
85 |
11 |
560 |
175 |
TO-252 |
| SQD50N04-4M5L |
SMD |
N |
136 |
40 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0035 |
85 |
11 |
560 |
175 |
TO-252 |
| SQM50N04-4M0L |
SMD |
N |
150 |
40 |
20 |
2.5 |
50 |
0.004 |
85 |
11 |
560 |
175 |
TO-263 |