Транзистор FDV302P_NB8V001
FDV302P_NB8V001 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDV302P_NB8V001 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDV302P_D87Z |
SMD |
P |
0.35 |
25 |
8 |
1.5 |
0.12 |
10 |
- |
8 |
7 |
150 |
SOT-23 |