Транзистор FDW258P
FDW258P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSSOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1943 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDW258P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDR844P |
SMD |
P |
1.8 |
20 |
8 |
1.5 |
10 |
0.011 |
- |
9 |
884 |
150 |
SuperSOT-8 |
| FDW264P |
SMD |
P |
1.3 |
20 |
12 |
1.5 |
9.7 |
0.01 |
135 |
17 |
1030 |
150 |
TSSOP-8 |
| SI4477DY |
SMD |
P |
3 |
20 |
12 |
1.5 |
18 |
0.0062 |
125 |
10 |
980 |
150 |
SO-8 |
| SIR401DP |
SMD |
P |
5 |
20 |
12 |
1.5 |
29 |
0.0032 |
205 |
13 |
1120 |
150 |
SO-8 |