Транзистор FMC80N10T2
FMC80N10T2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: T-PACKS
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 270 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0128 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 120 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 44 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 740 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FMC80N10T2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FMB80N10T2 |
SMD |
N |
270 |
100 |
30 |
4 |
80 |
0.0128 |
120 |
44 |
740 |
150 |
T-PACKSJ |
| FMI80N10T2 |
PTH |
N |
270 |
100 |
30 |
4 |
80 |
0.0128 |
120 |
44 |
740 |
150 |
T-PACKL |