Транзистор FMI03N60E
FMI03N60E - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: T-PACKL
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 21.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 59 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FMI03N60E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FMC03N60E |
SMD |
N |
60 |
600 |
30 |
3.5 |
3 |
2.3 |
21.5 |
7.5 |
59 |
150 |
T-PACKS |