Транзистор FMI20N50ES
FMI20N50ES - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: T-PACKL
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 270 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.31 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 57 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FMI20N50ES можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FMC20N50ES |
SMD |
N |
270 |
500 |
30 |
4.7 |
20 |
0.31 |
57 |
38 |
250 |
150 |
T-PACKS |
| FMP20N50ES |
PTH |
N |
270 |
500 |
30 |
4.7 |
20 |
0.31 |
57 |
38 |
250 |
150 |
TO-220AB |