Транзистор FMP12N50ES
FMP12N50ES - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FMP12N50ES можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FMC12N50ES |
SMD |
N |
180 |
500 |
30 |
4.2 |
12 |
0.5 |
43 |
18 |
160 |
150 |
T-PACKS |
| FMI12N50ES |
PTH |
N |
180 |
500 |
30 |
4.2 |
12 |
0.5 |
43 |
18 |
160 |
150 |
T-PACKL |