Транзистор FQA13N50CF
FQA13N50CF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PN
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 218 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.48 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQA13N50CF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP16N50W |
PTH |
N |
250 |
500 |
30 |
4 |
16 |
0.4 |
33 |
50 |
630 |
150 |
TO-3P |
| FDB15N50 |
SMD |
N |
300 |
500 |
30 |
4 |
15 |
0.38 |
33 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| KDB15N50 |
SMD |
N |
300 |
500 |
30 |
4 |
15 |
0.38 |
33 |
5.4 |
230 |
175 |
TO-263 |