Справочник электронных компонентов

Транзистор FQA13N80_F109

FQA13N80_F109 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3PN

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 12.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 68 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQA13N80_F109 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQA13N80	PTH	N	300	800	30	5	12.6	0.75	68	150	275	150	TO-3P
IXFH14N80P	PTH	N	400	800	30	5.5	14	0.72	61	250	-	150	TO-247
IXFQ14N80P	PTH	N	400	800	30	5.5	14	0.72	61	250	-	150	TO-3P
IXFT14N80P	SMD	N	400	800	30	5.5	14	0.72	61	250	-	150	TO-268
IXFV14N80P	PTH	N	400	800	30	5.5	14	0.72	61	250	-	150	PLUS220
IXFV14N80PS	SMD	N	400	800	30	5.5	14	0.72	61	250	-	150	PLUS220SMD