Транзистор FQA55N10

FQA55N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 190 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 61 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.026 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 75 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 640 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FQA55N10 можно заменить на:

Нет элементов для замены