Транзистор FQAF19N20
FQAF19N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PF
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 85 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 190 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 220 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQAF19N20 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB19N20TM |
SMD |
N |
140 |
200 |
30 |
5 |
19.4 |
0.15 |
31 |
190 |
220 |
150 |
D2PAK |
| FQI19N20TU |
PTH |
N |
140 |
200 |
30 |
5 |
19.4 |
0.15 |
31 |
190 |
220 |
150 |
I2PAK |
| FQP18N20V2 |
PTH |
N |
123 |
200 |
30 |
5 |
18 |
0.14 |
20 |
133 |
200 |
150 |
TO-220 |