Транзистор FQAF19N60
FQAF19N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PF
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 70 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 210 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 350 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQAF19N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHG17N60D |
PTH |
N |
277.8 |
600 |
30 |
5 |
17 |
0.34 |
45 |
56 |
140 |
150 |
TO-247AC |
| SIHP17N60D |
PTH |
N |
277.8 |
600 |
30 |
5 |
17 |
0.34 |
45 |
56 |
140 |
150 |
TO-220AB |
| STB21N90K5 |
SMD |
N |
250 |
900 |
30 |
5 |
18.5 |
0.299 |
43 |
27 |
112 |
150 |
D2PAK |
| TMAN20N60A |
PTH |
N |
347 |
600 |
30 |
5 |
20 |
0.33 |
70 |
87 |
346 |
150 |
TO-3PN |