Транзистор FQAF33N10
FQAF33N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PF
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 195 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 320 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQAF33N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA33N10 |
PTH |
N |
163 |
100 |
25 |
4 |
36 |
0.052 |
38 |
195 |
320 |
175 |
TO-3P |
| FQB33N10TM |
SMD |
N |
127 |
100 |
25 |
4 |
33 |
0.052 |
38 |
195 |
320 |
175 |
D2PAK |