Транзистор FQAF9N50
FQAF9N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PF
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.73 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 95 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQAF9N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA9N50 |
PTH |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
9.6 |
0.73 |
28 |
95 |
160 |
150 |
TO-3P |
| FQB9N50TM |
SMD |
N |
147 |
500 |
30 |
5 |
9 |
0.73 |
28 |
95 |
160 |
150 |
D2PAK |
| FQI9N50TU |
PTH |
N |
147 |
500 |
30 |
5 |
9 |
0.73 |
28 |
95 |
160 |
150 |
I2PAK |
| FQP9N50 |
PTH |
N |
147 |
500 |
30 |
5 |
9 |
0.73 |
28 |
95 |
160 |
150 |
TO-220 |
| KQB9N50 |
SMD |
N |
147 |
500 |
30 |
5 |
9 |
0.73 |
28 |
95 |
160 |
150 |
TO-263 |