Транзистор FQB10N60CTM
FQB10N60CTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.73 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 44 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 69 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 166 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB10N60CTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA10N60C |
PTH |
N |
192 |
600 |
30 |
4 |
10 |
0.73 |
44 |
69 |
166 |
150 |
TO-3PN |
| FQI10N60CTU |
PTH |
N |
156 |
600 |
30 |
4 |
9.5 |
0.73 |
44 |
69 |
166 |
150 |
I2PAK |
| SIHB12N65E |
SMD |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.38 |
35 |
19 |
65 |
150 |
TO-263 |
| SIHP12N65E |
PTH |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.38 |
35 |
19 |
65 |
150 |
TO-220AB |