Транзистор FQB12P10TM

FQB12P10TM - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 160 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 220 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FQB12P10TM можно заменить на:

Нет элементов для замены