Транзистор FQB12P20TM
FQB12P20TM - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.47 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 195 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB12P20TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA12P20 |
PTH |
P |
150 |
200 |
30 |
5 |
12.6 |
0.47 |
31 |
195 |
190 |
150 |
TO-3PN |
| KQB12P20 |
SMD |
P |
120 |
200 |
30 |
5 |
11.5 |
0.47 |
31 |
195 |
190 |
150 |
TO-263 |