Транзистор FQB13N50CTM
FQB13N50CTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 195 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.48 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB13N50CTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOT14N50FD |
PTH |
N |
278 |
500 |
30 |
4 |
14 |
0.47 |
38.8 |
94 |
179 |
150 |
TO-220 |
| FQA13N50C |
PTH |
N |
218 |
500 |
30 |
4 |
13.5 |
0.48 |
43 |
100 |
180 |
150 |
TO-3PN |
| FQI13N50CTU |
PTH |
N |
195 |
500 |
30 |
4 |
13 |
0.48 |
43 |
100 |
180 |
150 |
I2PAK |