Транзистор FQB14N15

FQB14N15 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 14.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.21 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 115 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FQB14N15 можно заменить на:

Нет элементов для замены